Основные характеристики Snapdragon 835 и Snapdragon 660

На днях компания Qualcomm официально объявила о существовании следующего поколения флагманских процессоров Snapdragon 835. Однако компания умолчала о главных характеристиках чипа, упомянув только об использовании 10-нм техпроцесса Samsung FinFet. Сегодня в сети появились характеристики Snapdragon 835, а также о ещё одного процессора среднего уровня — Snapdragon 660.

Главной особенностью Snapdragon 835 (MSM 8998) стало увеличенное в два раза число ядер: два кластера по четыре ядра в каждом. Известно, что четыре из них являются высокопроизводительными, а четыре других — энергоэффективными. Тактовая частота ядер пока не раскрывается. Здесь же значатся новый графический ускоритель Adreno 540 и модем LTE X16 с поддержкой LTE Cat. 16, который развивает скорость до 1 Гбит/сек. Кроме того, новый процессор поддерживает четырёхканальную оперативную память LPDDR4X-1866, а также память UFS 2.1.

Чипсет Snapdragon 660 построен по 14-нм техпроцессу Samsung FinFet LPP и развивает максимальную тактовую частоту 2,2 ГГц. Процессор включает графику Adreno 512 и модем LTE X10, поддерживаются два канала памяти LPDDR4X-1866 и всё та же память UFS 2.1.

Дебют Snapdragon 835 ожидается в первом квартале 2017 года в смартфоне Samsung Galaxy S8 на выставке MWC 2017. Snapdragon 660 выйдет во втором квартале 2017 года, а первыми его будут применять в своих устройствах бренды Oppo и Vivo.