Анонс Qualcomm Snapdragon 835 на выставке CES 2017

Как и ожидалось, в рамках выставки CES 2017 компания Qualcomm анонсировала свой новый флагманский процессор для мобильных устройств Qualcomm Snapdragon 835.

Snapdragon 835 содержит два кластера по четыре вычислительных ядра — первый содержит ядра с частотой 2,45 ГГц и кэш-памятью объемом 2 Мб, а второй четыре энергоэффективных ядра с тактовой частотой 1,8 ГГц 1 Мб кэш-памяти. Оба кластера содержат ядра Kryo 280 на базе ARM Cortex.

Также SoC Snapdragon 835 получила обновлённый графический ускоритель Adreno 540 с поддержкой DirectX 12, HDR10 и Ultra HD, производительность которого возросла на 25%.

Как заявляет разработчик, новый процессор на 20% быстрее предыдущего поколения, на 25% энергоэффективнее и на 35% меньше по размерам. Благодаря технологии Qualcomm Quick Charge 4.0 на 20% выросла и скорость зарядки. Кроме того, новый чип содержит LTE модем Smapdragon X16 и беспроводные модули Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11ad и 2×2 802.11ac Wave-2.

Сейчас Snapdragon 835 находится в стадии производства, а первые коммерческие устройства на его основе появятся на рынке в первой половине 2017 года.